| Форм-фактор | M.2 2280 |
| Объем памяти | 1 ТБ |
| Тип ячеек памяти | V-NAND 3-bit MLC |
| Интерфейс | PCIe 4.0 x4 |
| NVMe | Поддержка протокола NVMe |
| Контроллер | Samsung in-house Controller |
| Скорость чтения | 7450 |
| Скорость записи | 6900 |
| Время наработки на отказ | 1.5 млн часов |
| Ударостойкость | 1500 |
| Потребляемая мощность | 7.8 |
| Рабочая температура | От 0 до 70 |
| Дополнительно |
Поддержка шифрования: AES 256-битное шифрование (Class 0), TCG/Opal, IEEE1667 (Шифрованный привод) Поддержка алгоритма автоматической сборки мусора GC Поддержка TRIM Поддержка S.M.A.R.T Кэш память Samsung 1GB Low Power DDR4 SDRAM Поддержка спящего режима |
| Габариты | 80 x 24.3 x 8.2 |
| Вес | 28 |
| Статус SSD | Новый |
| Комплектация |
SSD-диск Радиатор |
Для восстановления пароля введите свой e-mail, который вы указали при регистрации
Comments (0)
Только зарегистрированные пользователи могут оставлять комментарии